固定物理约束

不轻易变的产业底界，按产业层归组——共 15 条。每条 = 真实变量 + 现状叙事 + 易误读 + 实测，全部取自 KB；改了底界，叙事就得重写。

封装

卡死新鲜

ABF 载板交期/缺口(高端 vs mainstream)

封装IGN-ABF-SUBSTRATE

高端交期现 24 周

现 24 周 · 紧而非断

稼动

90%

高端 sold-out（稼动~90%）、mainstream 却过剩 = 分叉

卡点: 先进封装基板(AI 大尺寸高层数)
误读: 与板级 PCB/CCL 或玻璃基板混为一谈
缓解: 缺口至少到 2027，最早 2028 缓解

卡死新鲜

Ajinomoto ABF 膜供需/利润率(上游真 cap)

封装IGN-ABF-FILM

缓解时点（紧 → 扩产）到 2032

2026 起紧缓解 2032

仅 2 厂·无第二源·膜 +30% → 供给无弹性，扩产要等 2032 才松

卡点: FC-BGA 基板的核心绝缘介电膜(载板上游)
误读: 把 ABF 膜当大成本项(实为小成本)或当基板厂吃利润(实为 Ajinomoto 拿)
缓解: 紧到 2032 Gifu 新厂

卡死新鲜

CoWoS 月产能

封装IGN-COWOS

产能利用（订满 vs 余量）100%

已订满 100%余量 0%

产能翻倍至 170 kwpm（'24 起 5×，全行业~200k 含 OSAT 50-60k）· 缺口 20→10% 收敛中但仍 0 余量 · 需求 > 供给 · 紧到 2027

卡点: GPU 封装瓶颈
误读: 需求驱动型瓶颈:产能2026~翻倍仍binding(非供给停滞)
缓解: 到 2027 仍极紧（TSMC 口径）

安全阀新鲜

OSAT 先进封装/整体稼动率

封装IGN-OSAT

稼动 vs 余量80%

稼动 80%余量 20%

稼动 ~80% 仍有余量，是溢出承接者、非瓶颈

卡点: 先进封装溢出承接+oS后段+传统封测大本营
误读: 把先进封装核心(TSMC 自有)与 OSAT 溢出/传统大盘混为一谈
缓解: 承接者，非真瓶颈

解禁新鲜

CoWoS/先进封装最大封装尺寸(reticle倍数)

封装IGN-COWOS

封装面积上限 ×reticle（逐年）5.5→14

'26

5.5

'27

9.5

'28

封装面积上限,现 14×;逐年放大 → 单封装能塞更多 die+HBM = 在缓解 CoWoS 面积约束

卡点: GPU 封装瓶颈
误读: 需求驱动型瓶颈:产能2026~翻倍仍binding(非供给停滞)
缓解: 逐年解禁（2026→2029）

解禁新鲜

面板级细线 RDL 量产成熟度(L/S)

封装IGN-FOPLP

线宽 μm（量产 vs 研发）10→2

量产

研发

量产仍卡在 10μm（研发已到 2μm 未量产）→ 做不到 AI 细线,FOPLP 暂不能分流 CoWoS

卡点: 扇出 RDL 从圆晶圆搬矩形面板(免/减载板);消费已主流+AI 扩面前沿
误读: 把 FOPLP 当 CoWoS 近期替代(实 gated 2028-29/CoWoS yield98%主导);把成本优势当普适(实条件性>3.5×reticle);把尺寸碎片当死结(SEMI 收敛中)
缓解: 线宽收窄即解禁

电力

紧新鲜

钪(Sc₂O₃)供给紧张度/SOFC需求占全球年产

电力IGN-SCANDIUM

全球钪年产~60t vs SOFC 1-2GW/yr需求30-90t

SOFC放量把'AI→小众陶瓷材料'真瓶颈从氧化锆(<0.3%)移到钪(逼近全球年产);看Bloom扩产vs钪新增供给

卡点: SOFC(ScSZ电解质)掺杂剂;数据中心燃料电池供电的关键稀有材料输入
误读: 把'AI→氧化锆'当主线(实<0.5%)而漏看钪;把SOFC锆当瓶颈(锆只搭车<0.3%)
缓解: 钪供给主来自中国钛/铝废料流回收,可扩但弹性低;Bloom 10-K称不预期稀土影响2026产量;新钪源(红土镍/尾矿回收)中期或松动

紧新鲜

高压SiC(3.3kV/10kV)供给成熟度

电力IGN-POWER-SEMI

商用器件电压等级/认证状态

高压SiC供给空白卡住MV直整与MV-input SST(Phase4 SST端态gate);非主流器件涨价点——主流SiC/GaN反而过剩降价

卡点: AI电源链 AC-DC整流/DC-DC/SSCB/SST 的核心器件
误读: 把800VDC当功率半导体近期涨价催化(实过剩吸收);把STMicro DC收入当功率受益(实2/3是光)
缓解: 随200mm SiC衬底良率+认证推进松动;LV-SST(415V输入)可绕开MV-input SST的3.3kV供给卡

紧新鲜

高端AI DrMOS供需松紧/定价(分配制/涨价方向)

电力IGN-DRMOS

高端供需(分配制/涨价方向)70%

偏紧 70%余量 30%

高端在allocation+两轮涨价但可扩产→温和偏紧非MLCC式锁死(交期~26周确认);通用料成本推动普涨需求仍去库存

卡点: GPU/CPU核心电压多相VRM末端功率级
误读: 把SiC/GaN过剩或高端MLCC极端缺货错套DrMOS;以为单一家(MPS)独占NVIDIA socket(实多供应商)
缓解: 全行业扩产中期补上(MPS $6B/Renesas 80%capex/onsemi利用率77%有headroom)非工艺锁死

无源器件

紧需复核

聚合物钽电容交期/紧缺

无源器件IGN-TANTALUM-POLY

交期现 17 周

现 17 周 · 历史峰值 39 周（尚远）

现 17 周，远低于历史峰值 39 周 = 紧但有序

卡点: 电源轨 bulk decoupling/POL(低 ESR)
误读: 被 MLCC 替代的先验(实际 AI 电源场景 MLCC falls short、钽被拉起)
缓解: 有序，非危机

紧需复核

高端 MLCC 产能/交期

无源器件IGN-MLCC-HIGHEND

高端交期现 24 周

常态 8 周 → 现 24 周（超 16）

稼动

80%

现 24 周 ≈ 常态 8 周的 3×，利用率 >80%

卡点: 电源完整性/decoupling
误读: 与商品 MLCC 混为一谈(高端紧/商品松)
缓解: 2026 底 Murata 新厂出货

存储

安全阀新鲜

Kioxia/SanDisk NAND fab 稼动率(供给安全阀)

存储IGN-NAND

稼动 vs 闲置50%

稼动 50%闲置 50%

半数产能闲置 = 安全阀，可随时复产压价

卡点: 非易失存储(eSSD/客户端SSD/UFS)
误读: 当作结构性AI紧缺(实为周期性减产为主);忽视50%稼动安全阀随时可放
缓解: 复产即松

工作负载

紧新鲜

开放权重旗舰模型的最小部署单元

工作负载IGN-OPENWEIGHT-MODEL

加速器颗数 / 权重常驻 TB / 承接托管商数 × 吞吐

门槛跨过单节点八卡容量后，自托管从工程决策变成基建项目。首个跨代实测（同为第三方口径）：模型规模由 1.1 万亿升至 2.8 万亿，能承接的第三方托管商由十二家降至五家，单位 token 价格升至约三到四倍，吞吐区间由每秒 21–149 字降至 8–72 字。故推理需求更可能落到少数有能力吃下该尺寸的专业托管商，而非分散自托管。⚠️ 两端不在同一生命周期阶段——五家为权重发布首日快照、含冷启动效应，上代为成熟期数据；上述差异中有多少来自规模、多少来自成熟度，须待 8 月 10 日重测方能拆分。

卡点: 权重可下载自部署的前沿大模型；本 KB 首个模型/工作负载层实体
误读: 误以为开放权重=省硬件(3T 级把门槛顶到 fp8 下须>=16 卡;首日实测能承接的第三方托管商由上代 12 家降至 5 家——⚠️ 首日快照对成熟期数据，非同一生命周期阶段，稳态待 2026-08-10 重测);误把『利好硬件总需求』等同『利好特定厂商份额』(开放权重是硬件脱钩的使能器);误把 token 量份额当美元份额;误把『开放权重』等同『无条件可商用』(K3 已对 MaaS 设营收门槛);误用总参数讲规模差距(K3 对 Nemotron 总参 5.1 倍但激活参数仅 1.9 倍);误把『2.5 倍 scaling efficiency』读作算力需求下降(该口径为 iso-loss 横向位移);误把托管商数跨代相比时混口径(含自家 13 vs 不含自家 5 不可比,同口径为第三方 12→5)
缓解: 更激进的量化（4 比特及以下）与更高单卡显存（288GB 级）可下移门槛；模型厂选择更小尺寸亦可。反向压力来自上下文长度——百万上下文下混合架构仍须维护随长度增长的那部分缓存。

测试

紧新鲜

后段测试/ATE 交期+高端稼动

测试IGN-BACKEND-TEST

ATE 交期现 26 周

现 26 周 · 紧而非断

稼动

60%

交期 >6 月，但稼动仅 ~60% = 紧而非断

卡点: AI 芯片测试时间↑驱动的测试机时需求
误读: 把'测试营收爆发'读成'测试是 AI 硬瓶颈'
缓解: Advantest 自加速扩产（~10k systems/yr）可缓解

网络

卡死新鲜

EML/200G-lane InP 激光芯片产能(光链 binding)

网络IGN-EML

200G EML 供需缺口50%

缺口 50%满足 50%

供给只够约一半 → 2027 前欠供 40-60%，gate 光链速率

卡点: 高速光模块(800G/1.6T)关键激光件;光链 binding 瓶颈(类比 ABF 膜)
误读: 把光链瓶颈当在 DSP/硅光(实在 EML/200G InP);把 EML 短缺当周期性(实结构性 NVIDIA $4B 锁产)
缓解: 2026 底或缓解（单源说法），以 InP 扩产为准