DrMOS/集成功率级：AI 电源最硬放量段，涨价温和、两档分化

研究问题：DrMOS 是否正在成为 AI 算力需求下需求量大增的部件，为什么，主要供应商有哪些，产能情况如何，未来是否涨价，中长期市场供需与技术路线怎么样？ 完成日期：2026-06-19 边界声明：本文止于产业基本面与供需事实，不输出估值/买卖/方向/仓位/目标价。价格/毛利/TAM 仅作"叙事-现实 gap"的输入证据（evidence ✓ / conclusion ✗）。 证据等级：A=公司一手（可写实）→ E=不可计分仅记录，怎么读证据分级。

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行话看不懂？点开名词小注

名词小注（行业缩写速查，不解释通用财务词）：DrMOS/集成功率级/Smart Power Stage（SPS）= 把驱动和 MOSFET 集成进一颗的功率级；VRM= 给芯片供电的电压调节模块，多相 VRM= 把大电流拆成多路并联、每路配一颗功率级；FET/MOSFET= 功率开关管；SiC/GaN= 碳化硅/氮化镓，两种主打高压的宽禁带功率半导体；MLCC= 多层陶瓷电容、钽电容= 另一类电容（这两类同属被动元件 passives）；HBM= 高带宽内存；VPD= 垂直供电（从芯片背面或封装直接供电）；book-to-bill= 接单出货比（>1 即需求强）；allocation= 配给制（供不应求时按额度分货）；fabless= 无晶圆厂、设计外包代工，IDM= 自有晶圆厂的一体化厂商；8 英寸= 老一代晶圆产线。

一、一句话结论

DrMOS（集成功率级，又叫 Smart Power Stage）正随 AI 算力结构性放量，但它是与市场熟悉的两段都不同的"第三段"——放量逻辑最硬、价格只是温和偏紧上行，既不像 SiC/GaN 那样过剩降价，也不像 MLCC/钽电容那样极端缺货、单价翻倍。

拆开看三件事：

• 放量最硬：AI GPU 把核心电流逼到千安级，物理上只能用多相 VRM、每相配一颗功率级，用量直接跟着 GPU 的功耗和出货量走——这是确定性最强的一段。
• 价格温和偏紧、涨价进行时：英飞凌（Infineon）的 AI 电源业务已进入配给（allocation）、2026 年安排两轮提价；但幅度温和，没有 MLCC 式的单价翻倍或极端分配制。
• 中期供给补得上：全行业都在扩产，技术壁垒不及高端 MLCC 那种被工艺锁死的程度，所以"短期偏紧"大概率不会演成"长期短缺"。

一条必须守住的纪律：英飞凌在财报里明说，这轮价格战"严格限于高压功率半导体、不含 MOSFET"。DrMOS 用的是硅基中低压器件，供需自成一段，不能拿知识库里已有的 SiC/GaN 过剩结论往它身上套。

二、为什么放量（第一性原理）

放量是被电流物理逼出来的，不是营销概念。 AI GPU 功耗暴涨、核心供电电压却越来越低（约 0.8V），结果核心电流冲到千安级：

• H100 700W 对应约 875A（SemiAnalysis 测算，B 级公开技术资料）；
• GB200 约 1200W 对应约 1,500A；Vera Rubin 约 2,300W 对应约 2,875A（后两代为行业测算，C/D 级，待一手验证）；
• 要把 1,500A 的电流压降控制在 20mV 以内，整条供电路径的电阻只能有约 13 微欧。

电流一大，相数和颗数同时翻番。 单颗功率级（power stage）只能扛 50–110A，于是 AI 板的核心 VRM 已经堆到 16–25 相（传统服务器 CPU 板只用一把到十几相）：

• GB200 的配电板（PDB）做到"16 相以上、单板 80 颗以上 FET"；
• 一个 72-GPU 机柜要用"数百颗 DrMOS"（TI 口径，C 级）；
• AOS 的 16 相控制器也明确把自己定位在 AI 服务器/显卡（B 级产品资料）。

集成不是优化选项，而是千安级电流下的物理必需。 电流这么大时，分立方案的寄生电感、散热、各相电流平衡都收不敛，只能走集成路线：从 DrMOS，到带电流/温度遥测的 Smart Power Stage，再到功率模块（power module），多相效率做到 95% 以上（B 级技术资料）。

市场规模也佐证这条放量，但只能当参考——以下为机构估算（D 级，单独不作实）：

• GPU 与 AI 服务器 VRM 市场：2024 年 17.8 亿美元 → 2025 年 22.3 亿美元 → 2031 年 53.1 亿美元（年复合约 18.95%），其中 DrMOS/功率级占 2025 年收入的 48%（年复合 19.39%）；
• 单看 AI 服务器 DrMOS 芯片：2025 年 3.55 亿美元 → 2032 年 9.48 亿美元（年复合 15.3%）。

真正落到财报里的放量（A 级一手）：

• 芯源系统（MPS）的"企业数据"终端市场 2025 年三季度做到 1.915 亿美元（环比 +33%、占总收入 26%）；2026 年一季度同比 +97.7%，并把 2026 年增长底线上调到约 85%（后一句为二手转述，待一手核）。
• 安森美（onsemi）AI 数据中心收入一季度环比 +30%，2026 年预计翻倍。

三、主要供应商（谁在赢供货席位）

板级是三强格局，但没人能独占。 第一梯队是芯源系统（MPS）、英飞凌（Infineon）、瑞萨（Renesas），后面跟着 TI、ADI、安森美、Vishay、AOS；前五名（TI/瑞萨/英飞凌/MPS/ADI）合计占 VRM 市场约 55–60%（份额含机构估算，A/B/C 级混合，量级参考）。

竞争是动态拉锯的（A 级财报 + D 级估算）：MPS 原本是在位龙头，2024 年底因为 Blackwell 超 700W 的高功率电源出问题被 NVIDIA 砍单，份额分流给瑞萨（B200）和英飞凌（GB200）；2025 年 MPS 反弹，目标在 Rubin 一代重新夺回。

"NVIDIA 刻意搞多供应商"是公开信息里最确定的一条结构性结论。 核心供电从过去的"MPS 独供"改成 MPS + TI + 英飞凌（再加瑞萨）共供，谁都拿不到独占席位（C/D 级，但有 2024 砍单分流的实证支撑）。

国产玩家在往里挤（以下为行业媒体口径，C 级，待独立验证）：

• 晶丰明源：有 Smart DrMOS 加 16 相控制器，是国内唯一进入 NVIDIA OpenVReg（NVIDIA 的电源参考规范，进推荐名单才有供货资格）推荐名单的厂商；2025 上半年 HPC 电源芯片营收 0.35 亿元、同比 +419.81%（涨幅异常且为单一口径，待一手核）。
• 杰华特：覆盖 30–90A 全系列；矽力杰：有 16 相方案。
• 第二梯队（芯朋微/南芯/圣邦微等）还在客户导入到初期小批量阶段。

进门槛在哪：高电流密度、散热、遥测精度、控制器算法和相数（24–32 相），以及是否符合 NVIDIA 的 OpenVReg/OVR 规范——这是进推荐名单的硬门槛。

四、产能情况

供给侧分两类厂商看，结论都偏"扩得动"：

• 无晶圆厂派（MPS）：靠台积电/联电再加世界先进（VIS）的 8 英寸专用制程代工；产能目标已上调到 60 亿美元规模，管理层明说供给侧没有产能约束（A 级一手）。
• 一体化厂商派（英飞凌/瑞萨/安森美）：自家有功率晶圆厂，把汽车高压腾出来的前段产能重新分给 AI 数据中心，同时扩产——瑞萨新增资本开支 940 亿日元、其中 80% 用于扩 AI/数据中心/数字电源；安森美产能利用率回到 77%、还有余量（A 级一手）。

行业层面真正的瓶颈是 8 英寸硅功率产能（C 级行业口径）：台积电计划 2027 年前关停部分 8 英寸厂、三星同步削减，把全球 8 英寸利用率推高到约 85–90%。

判定：高端偏紧卡的是"8 英寸近期产能分配 + 高端协同设计/认证门槛"，不是晶圆数量不够。 按隐含用量估（约 300 万颗 GPU × 每颗约 20 颗 ≈ 每年 6,000 万颗以上）仍在产能包络之内，所以"短期紧"不等于"长期紧"。

五、未来是否涨价（两档分化，evidence ✓ / conclusion ✗）

涨价要分两档看，不能一刀切：

第一档——AI 高端 DrMOS：偏紧，结构性涨价、毛利往上走（A 级一手 + C 级行业口径）。 英飞凌的 AI 业务已进入配给（allocation）、自述"需求明显超过供给"，2026 年安排两轮提价（4 月 1 日、7 月 1 日），每千瓦的半导体价值量升到约 175 美元，对应电源部门利润率从 17.4% 升到 20.4%；安森美毛利连续三个季度扩张到 38.5%；Vishay 半导体的接单出货比（book-to-bill）达 1.47、在手订单覆盖 5.7 个月。方向上和 SiC/GaN 的过剩正好相反，和 MLCC/钽这类被动元件同向、但温和得多——没有单价翻倍，也没有极端配给制。

第二档——通用 DrMOS 和低中压 MOSFET：成本推着普涨，但需求端还在去库存（A 级一手 + C 级行业口径）。 8 英寸代工涨价 5–20% 往下游传导，英飞凌/TI/意法半导体跟随抬价；但下游消费和 PC 端还在去库存（MPS 对笔记本需求谨慎、AOS 消费业务走弱）。这一档低端商品化、毛利薄（AOS 约 24%）、还要面对国产价格竞争，所以本质是"成本推动的普涨"，不是"需求拉动的紧缺"。

六、中长期供需与技术路线

供需（2026–2030）：需求端结构顺风（VRM 市场年复合约 19%），供给端中期补得上（全行业扩产），所以不会重演 MLCC 那种极端缺货、单价翻倍的剧本。

技术路线有四条并行往前走：

1. 单相电流往上堆：从 50A 提到 100A 以上（TI CSD965203B 做到 100A、意法 PM7080A 110A、瑞萨 90A）。
2. TLVR / 耦合电感：用跨耦合电感扛 1000A 以上的瞬态电流，接近零压降、还能减少输出电容。
3. 垂直供电（VPD）/ 侧向供电：从芯片背面或封装直接供电（Vicor 的 power-on-package 可过 1000A、把供电网络电阻降到十分之一；NVIDIA 的 Rubin/Kyber 要求 48V 直供到芯片、液冷母排扛 5,000A；英飞凌也有 VPD 四相模块）。
4. 减少电源级数：48V 一步直转，对比传统两级方案（Navitas 在 GTC2026 推 800V→6V 单级 GaN 配电板，直接砍掉 48V 中间总线）。

GaN 和硅的分工要分清：GaN 主打 48V→12V 这段中间总线；末端 1V 以下的核心供电仍以硅基 DrMOS/SiC 为主（MPS 在高功率端选的是 SiC，不是 GaN）。

一个需要长期盯住的中期分叉：如果 VPD/功率模块集成化推进得快，"按颗数算 DrMOS 用量"的叙事可能变成"按模块价值量算"——单颗用量见顶后，价值量会迁移到模块集成商手里。

七、最能推翻结论的 3 个条件（监控触发器）

哪些情况会把上面的结论推翻，列三条并标明盯什么：

1. 高端"偏紧"被快速扩产填平，同时国产高端取得突破 → 量还在、价格涨不动（涨价被证伪，退回"量增价平"）。盯：三强扩产是否落地、国产会不会升级成 NVIDIA/AMD 的主力供应商。
2. VPD/集成模块比预期更快取代分立功率级（从 Rubin 一代开始）→ 单颗 DrMOS 用量见顶、价值量迁移到模块。盯：Rubin/Kyber 量产时的物料清单（BOM）到底用模块还是分立。
3. AI 资本开支周期回落 → AI 高端 DrMOS 量价同时承压（这条绑在前四大云厂商超过 7,000 亿美元的资本开支上）。当前没有回落信号。

八、关键边界（bound）判定

把几个关键命题各自能不能被现有证据支撑，列成一张表：

九、我不会信的叙事（及为什么）

• ❌ 「AI 一来，DrMOS 会像 MLCC/钽电容那样极端缺货、单价翻倍」——证伪：可扩产、供给侧自称无约束、全行业在扩产；现状只是温和偏紧加结构性涨价。
• ❌ 「SiC/GaN 过剩降价，所以 DrMOS 也会降价」/「AI 电源涨价等于 SiC/GaN 受益」——证伪：英飞凌一手明说价格战"只限高压功率半导体、不含 MOSFET"，DrMOS 是不同器件、不同供需段，不能混为一谈。
• ❌ 「某一家（比如 MPS）独吃 NVIDIA 的 DrMOS 供货席位」——证伪：NVIDIA 刻意搞多供应商，2024 年砍单分流就是实证，份额是动态拉锯。
• ❌ 「DrMOS 单颗用量会一直涨」——存疑：VPD/模块化可能让单颗用量见顶，价值量随之迁移。